กำหนดเป้าหมาย DRAM เพื่ออุ่นเครื่อง! ไมครอน 908 พันล้านหยวนในโรงงานส่วนขยายของไต้หวัน

เมื่อวันที่ 26 สิงหาคมตามรายงานของ Media Media Daily Daily, ไมครอนจะใช้จ่าย $ 400 พันล้าน NT $ (ประมาณ 90.8 พันล้านหยวน) เพื่อสร้างสอง fabs ถัดจากไซต์โรงงานที่มีอยู่ของไต้หวันเพื่อผลิต DRAM สำหรับกระบวนการรุ่นต่อไป

แผนการลงทุนของไมครอนคือสร้าง fabs ขนาด A4 และ A5 สองตัวติดกับโรงงาน Zhongke ปัจจุบัน ในหมู่พวกเขาโรงงาน A3 จะแล้วเสร็จในเดือนสิงหาคมปีหน้าและการผลิตทดลองขั้นตอน 1z ล่าสุดจะเปิดตัวในไตรมาสที่สี่ของปีหน้าซึ่งจะช่วยลดช่องว่างกับซัมซุง โรงงาน A5 ระยะที่สองจะค่อยๆขยายกำลังการผลิตตามความต้องการของตลาดและเป้าหมายกำลังการผลิตรายเดือนจะ 60,000 ชิ้น

จากข่าวของไต้หวันการลงทุนของไมครอนจะเป็นกรณีการลงทุนเซมิคอนดักเตอร์ที่ใหญ่เป็นอันดับสองในไต้หวัน (หลังจากการขยายตัวของ TSMC และ Nanke) ถ้าเป็นชาวต่างชาติมันเป็นกรณีการลงทุนที่ใหญ่ที่สุด

สาขาไต้หวันยืนยันข่าวว่าไมครอนขยายโรงงาน A3 ในไทจงและเข้าสู่โครงการก่อสร้าง เป็นที่เข้าใจว่าไมครอนใช้จ่ายเงินจำนวนมากเพื่อขยายโรงงานในช่วงลมหนาวส่วนใหญ่เป็นเพราะแง่ดีเกี่ยวกับ 5G จะผลักดันการพัฒนาของปัญญาประดิษฐ์อินเทอร์เน็ตของสิ่งต่าง ๆ และการใช้งานอัตโนมัติขับเคลื่อนความต้องการการเติบโต DRAM และธุรกิจช่องเสียบการ์ดต้น โอกาส.

เมื่อไม่นานมานี้การขยายโรงงานของไมครอนในสิงคโปร์เสร็จสมบูรณ์แล้ว แม้ว่าจะไม่ได้เพิ่มกำลังการผลิต แต่จะช่วยให้ไมครอนดำเนินการผลิตผลิตภัณฑ์หน่วยความจำแฟลชหลายชั้นที่มีความต้องการกระบวนการสูง

เนื่องจากราคาหน่วยความจำลดลงตลอดปีนี้ทั้ง Samsung และ SK Hynix ได้ระงับแผนการขยายตัว แผนการขยายตัวล่าสุดของไมครอนได้เปิดตัวพร้อมกันโดยมีเป้าหมายในการปล้นส่วนแบ่งการตลาดผ่านความจุที่เพียงพอและกระบวนการที่ทันสมัยในช่วงแรกของอุตสาหกรรมหน่วยความจำ